Bipolinio jungimo tranzistoriaus struktūra ir veikimo principas

Bipolinis jungimosi tranzistorius yra įprastas puslaidininkių komponentas, sudarytas iš trijų sluoksnių puslaidininkinių medžiagų. Jis turi dvi PN sankryžas, tris kaiščius ir tris sritis. Vidurinis sluoksnis vadinamas baziniu regionu. Norėdami nustatyti tranzistoriaus tipą, kaištį ir medžiagą, galite naudoti multimetrą. Pavyzdžiui, trijų tranzistoriaus kaiščių žemės įtampa, išmatuota multimetro nuolatinės srovės įtampos rinkmena, yra U 1 = 2 V, U 2 = 6 V, U 3 = 2. 7 V, iš kurio galima spręsti, kad tranzistoriaus tipas yra NPN, o trys kaiščiai yra savo ruožtu E, C, B.

Pagal paketą tranzistorius gali būti suskirstytas į plastikinę pakuotę ir metalinę pakuotę.

Pagal išdėstymą tranzistoriai gali būti suskirstyti į NPN ir PNP tipus.

Leiskite&išmokti tranzistoriaus veikimo principą. Kristalų tranzistorius gali sustiprinti mažą srovę į didelę srovę. Jei tranzistorius gali stiprinti srovę, išorinės sąlygos, kurių turi būti laikomasi, yra perduodamosios sankryžos įstrižas į priekį ir kolektoriaus sandūros atvirkštinis poslinkis.

Stiprintuvo grandinėje triodas paprastai veikia sustiprintoje būsenoje. Kai tranzistorius dirba sustiprintoje būsenoje, emiterio sankryža yra teigiama. Silicio vamzdelio įtampa yra apie 0. 7 V, o germanio vamzdžio įtampa yra apie 0. {{3}} V. Jei tranzistorius yra išjungimo būsenoje, emiterio sankryža yra atvirkštinė ir kolektoriaus sankryžos atvirkštinė. Jei trijų tranzistoriaus elektrodų, esančių ant plokštės, elektrodų nuolatinės srovės potencialas, matuojamas iki žemės, yra VE={{3}} V, VB={{3}}. 7 V , o VC={{{3}}. {{3}} V, vamzdelis veikia soties srityje.